簡(jiǎn)要描述:AMC空氣分子污染物監測系統 獵戶(hù)座 3100S系列空氣分子污染物監測系統基于CEAS(腔增強吸收光譜)技術(shù)連續分析儀器,將增加半導體器件阻抗一致性、保證更長(cháng)的過(guò)濾器壽命、減少生產(chǎn)過(guò)程的停工時(shí)間。
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獵戶(hù)座 3100S
AMC空氣分子污染物監測系統
一、AMC空氣分子污染物監測系統 3100S產(chǎn)品介紹:
1、實(shí)踐證明深紫外光刻工藝深受多種類(lèi)微量污染物的影響,對很多微量污染物極為敏感,比如氨氣或者酸性氣體都會(huì )給半導體生產(chǎn)帶來(lái)較大的危害,盡管隨著(zhù)深紫外耐腐蝕材料技術(shù)的發(fā)展,已經(jīng)減少了長(cháng)時(shí)間持續實(shí)時(shí)監測,而實(shí)際上空氣分子污染(AMC)的實(shí)時(shí)測量對產(chǎn)品質(zhì)量的好壞至關(guān)重要。
2、獵戶(hù)座3100S系列空氣分子污染物監測系統基于CEAS(腔增強吸收光譜)技術(shù)連續分析儀器,將增加半導體器件阻抗一致性、保證更長(cháng)的過(guò)濾器壽命、減少生產(chǎn)過(guò)程的停工時(shí)間。
3、ETG HMI(人機交互界面)軟件可以實(shí)時(shí)觀(guān)察、實(shí)時(shí)測量、實(shí)時(shí)操作對不同空間不同位置的NH3、HCL、HF進(jìn)行分析,軟件專(zhuān)門(mén)針對半導體行業(yè)開(kāi)發(fā),對于深紫外光刻工藝過(guò)程中監測與控制空氣分子污染(AMC)提供有力的支持,軟件集成了多點(diǎn)采樣(MS)控制功能,具有實(shí)時(shí)顯示數據曲線(xiàn)、報警、存儲、趨勢、歷史曲線(xiàn)、分析等功能。
二、AMC在線(xiàn)監測 獵戶(hù)座 3100S 系統介紹:
1、實(shí)時(shí)監測空氣分子污染(AMC)對于半導體生產(chǎn)過(guò)程極為重要。
2、快速監測、報警、極低濃度測量、寬測量區域、多氣體的高靈敏響應等是半導體工業(yè)要求之一。
3、深紫外光刻工藝特別關(guān)注氨、胺類(lèi)、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸類(lèi)等濃度測量,當這些氣體與化學(xué)放大光刻膠反生反應時(shí),將深深的影響半導體器件質(zhì)量。
4、傳統古老的方法多采用間接測量分析方法。包括撞擊濾塵器、離子色譜、化學(xué)熒光法,這些方法分析速度太慢,操作過(guò)程太復雜,昂貴并且測量結果不準確。
5、ETG采用被證明的CEAS(腔增強吸收光譜)技術(shù)解決AMC(空氣分子污染物)監測難題,可快速測量痕量級NH3、HCL、HF,采用脈沖熒光法測量SO2,采用增強型GC-FID測量VOCs。
6、獵戶(hù)座 3100S系列空氣分子污染物監測系統測量痕量級NH3、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性,是半導體行業(yè)潔凈室AMC(空氣分子污染)測量的有力工具。
7、獵戶(hù)座 3100S也集成了多點(diǎn)監測系統,可依序將氣體抽送到分析儀或傳感器,并讀出測量結果。獵戶(hù)座 3100S內嵌的報警、報告、分析軟件是由多年半導體行業(yè)經(jīng)驗的工程師集體開(kāi)發(fā)。
8、獵戶(hù)座 3100S使用Ethernet、RS485/RS232或4-20mA模擬模塊可以輸出來(lái)自4~6臺分析儀或傳感器的數據。
9、每臺分析儀配有內置計算機(Linux OS),可進(jìn)行數據存儲和數據輸出,還支持遠程網(wǎng)絡(luò )控制,通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)可以連接ETG公司總部或者當地經(jīng)銷(xiāo)商服務(wù)商,進(jìn)行操作或者診斷。
10、使用者可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò )瀏覽器比如IE、Chrome等世界任意可以聯(lián)網(wǎng)的地方進(jìn)行操作,遠程操作可實(shí)現多級管理權限控制和操作。
獵戶(hù)座 3100S 系統配置圖如下
三、產(chǎn)品特點(diǎn):
1、增強靈敏度
儀器基于CEAS(腔增強吸收光譜)技術(shù),極簡(jiǎn)使用、便捷操作,所有部件(包括內置真空泵、鍵盤(pán)、鼠標、顯示器等)幾分鐘內可開(kāi)始記錄數據,其他大氣中的水汽、CO2、O2、甲烷等不會(huì )對HCL、HF、NH3等測量構成交叉干擾。內置計算機可以存儲大量數據到內置硬盤(pán)上,可同過(guò)數字接口或者模擬接口傳輸數據,可通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)遠程存儲或記錄數據,高質(zhì)量的數據庫,適合于苛刻的半導體痕量級氣體應用。
2、檢測限/精度 (1-σ) :HCl 0.1 ppb ; HF 0.1 pp ; NH3 < 0.1 ppb
快速響應時(shí)間
每個(gè)通道5秒
系統即插即用
系統可在潔凈間幾分鐘內簡(jiǎn)單操作完成
低成本,因CEAS(腔增強吸收光譜)系統不需要特別的維護保養和備品備件,所以很好的降低了使用者成本。
四、CEAS(腔增強吸收光譜)---原理
基于CEAS(腔增強吸收光譜)技術(shù)的儀器原理圖,使用近紅外波段光進(jìn)行高靈敏度吸收測量,測量腔室由一組高反射率多次反射鏡片組成的柱狀體構成,激光束經(jīng)過(guò)固態(tài)校準器(FSR=2.00GHz)時(shí)會(huì )測量得到相對激光波長(cháng)。為了保證清晰度,忽略了原本照射到左側測量單元腔鏡外的光束。
上一產(chǎn)品:F10光聲光譜微量多氣體分析儀
下一產(chǎn)品:EDK M100 SYN便攜式紅外高濕合成氣多組份分析儀
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